Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5535
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS8242TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 257-5535
Herst. Teile-Nr.:: IRFHS8242TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.1W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	2mm
	Breite	2 mm
	Höhe	0.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.1W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 2mm
	Breite 2 mm
	Höhe 0.9mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFHS8242TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN

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