Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -21 A 3.1 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5533
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH9310TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.475 | CHF.1'906.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5533
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH9310TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.39mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.39mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration
Breites Portfolio verfügbar
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