Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 46 A 3.1 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 258-3969
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5053TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 46 A 3.1 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-3969
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5053TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	46A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	18mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	3.1W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	24nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 3.1W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH5053TRPBF

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Industriestandard-Qualifikationsstufe

Standard-Stiftanschluss ermöglicht einen Einrast-Ersatz

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 46 A 3.1 W, 8-Pin PQFN

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