Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5531
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7545TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-5531
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7545TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	85A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.2mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	73nC
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.17mm
	Länge	5mm
	Breite	6 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.17mm
	Länge 5mm
	Breite 6 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH7545TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W PQFN

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