Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9388
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM830TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.1'656.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | CHF.0.414 | CHF.1'648.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9388
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHM830TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFHM-Serie von Infineon ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 3,3 x 3,3-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Potenzielle Alternative zum Super SO 8-Gehäuse mit hohem RDS (Ein)
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 40 A 37 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -21 A 3.1 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
