Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-9388
Herst. Teile-Nr.:: IRFHM830TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9388
Herst. Teile-Nr.:: IRFHM830TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Maximale Verlustleistung Pd	37W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Maximale Verlustleistung Pd 37W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFHM830TRPBF

Die IRFHM-Serie von Infineon ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 3,3 x 3,3-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Potenzielle Alternative zum Super SO 8-Gehäuse mit hohem RDS (Ein)

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 21 A 37 W PQFN

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