Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W IRFH7545TRPBF PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5818
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7545TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W IRFH7545TRPBF PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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50 - 120	CHF.0.704	CHF.3.53
125 - 245	CHF.0.662	CHF.3.33
250 - 495	CHF.0.525	CHF.2.60
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RS Best.-Nr.:: 257-5818
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7545TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	85A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.2mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	73nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.17mm
	Breite	6 mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.17mm
	Breite 6 mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH7545TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 85 A 83 W IRFH7545TRPBF PQFN

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