Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6 A 2.1 W, 7-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
165-7468
Herst. Teile-Nr.:
IRFHS9301TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Breite

2.1 mm

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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