Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
168-6031
Herst. Teile-Nr.:
IRLHS2242TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

53mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

9.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Breite

2.1 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 7,2A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 9,6W maximale Verlustleistung - IRLHS2242TRPBF


Dieser oberflächenmontierbare MOSFET eignet sich für Anwendungen, die einen hohen Schaltwirkungsgrad erfordern. Sein niedriger On-Widerstand, gepaart mit der HEXFET-Technologie, trägt zu einem minimalen Leistungsverlust bei, wodurch er sich für Power-Management-Aufgaben in verschiedenen elektronischen Schaltungen eignet. Mit einem maximalen Temperaturbereich von -55°C bis +150°C arbeitet es auch unter schwierigen Bedingungen effektiv.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Rds(on) gewährleistet hohe Effizienz und geringe Wärmeentwicklung

• Geeignet für einen kontinuierlichen Drainstrom von 7,2 A für eine robuste Leistung

• Kompaktes 6-Pin-DFN-Gehäuse ermöglicht einfache Integration bei begrenztem Platzangebot

• Der Enhancement-Modus ermöglicht vielseitige Gestaltungsmöglichkeiten

• Hervorragende Wärmebeständigkeit für verbesserte Langlebigkeit

Anwendungsbereich


• Wird für die System-/Lastumschaltung in Automatisierungssystemen verwendet

• Ideal für Lade- und Entladeschaltungen im Batteriemanagement

• Geeignet für kompakte elektronische Geräte mit hohem Wirkungsgrad

• Einsatz in elektrischen Steuersystemen und Stromversorgungskreisen

Welche Bedeutung hat das Merkmal "niedriger Rds(on)"?


Die niedrige Rds(on)-Eigenschaft führt zu geringeren Leitungsverlusten, wodurch der Gesamtwirkungsgrad verbessert wird und die Temperaturen während des Betriebs niedriger bleiben, was für Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist.

Wie steuert diese Komponente die Wärmeleistung?


Er hat eine Höchsttemperatur von +150°C und einen geringen Wärmewiderstand, um die Wärmeableitung zu verbessern und einen stabilen Betrieb unter hoher Last zu gewährleisten.

Kann es mit unterschiedlichen Betriebsumgebungen umgehen?


Ja, es funktioniert effektiv über einen Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und eignet sich damit für anspruchsvolle Anwendungen in unterschiedlichen Klimazonen.

Ist es für Hochfrequenzanwendungen geeignet?


Das Design des MOSFETs unterstützt Hochgeschwindigkeitsschaltungen, was ihn für Hochfrequenzanwendungen in der modernen Elektronik geeignet macht.

Was sind die Montageanforderungen für eine optimale Leistung?


Um beste Ergebnisse zu erzielen, sollte es auf einer Leiterplatte mit angemessenem Wärmemanagement montiert werden, um die Wärmeableitung und die elektrischen Verbindungen zu optimieren.

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