Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5572
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.924.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 22. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | CHF.0.231 | CHF.907.20 |
| 8000 + | CHF.0.21 | CHF.861.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5572
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse
Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W IRLHS6276TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W IRLHS6242TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin IRFH7932TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin IRLHS2242TRPBF PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN