Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5572
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6276TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-5572
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6276TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±12 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.1nC
	Maximale Verlustleistung Pd	9.6W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	2 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC
	Maximale Verlustleistung Pd 9.6W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 2 mm
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRLHS6276TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

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