Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5572
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
CHF.728.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | CHF 0.182 | CHF 747.40 |
| 8000 + | CHF 0.182 | CHF 711.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5572
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLHS6276TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 9.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 9.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse
Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 7.2 A 9.6 W, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 40 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.2 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 49 A 250 W PQFN