Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 20 V / 22 A 9.6 W PQFN

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Gerät mit Durchsteckverstärkung, das für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Umgebungen, in denen ein kompaktes Gehäuse und ein ansehnlicher Gleichstrom erforderlich sind. Wichtige elektrische Grenzwerte und thermische Eigenschaften unterstützen die Integration in Baugruppen, die einen kontrollierten Gate-Antrieb und eine moderate Verlustleistung erfordern.

• Niedriger Leitungswiderstand sorgt für geringere Leitungsverluste
• Hoher Dauerstrom für höhere Lastströme
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht ein relativ schnelles Umschalten
• Breiter Betriebstemperaturbereich unterstützt raue Umgebungen
• Kontrollierte Gate-Nennspannung schützt vor Antriebsüberspannung

• Geeignet für Mittelspannungs-Gleichstromschaltung und Laststeuerung
• Ideal für Komponenten der Leistungsstufe in industriellen Geräten
• Verwendung mit Motorantriebsschaltkreisen, die eine 22-A-Fähigkeit erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungswandler in PQFN-Gehäusen

Es leitet bis zu 9,6 W ab, sodass ein Wärmemanagement wie Kühlkörper oder Luftstrom erforderlich ist, um die Sperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.

Die Gate-Source-Spannung darf 12 V nicht überschreiten, um Überspannungen auf der Eingangs-Gate-Struktur zu vermeiden.

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit großen Umgebungstemperaturschwankungen.

Die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 14 nC unter Nenn-Gate-Drive-Bedingungen, was die Gate-Driver-Grösse und Schaltverlustberechnungen informiert.

Er erfüllt die RoHS-Kriterien, was darauf hinweist, dass in seiner Konstruktion keine eingeschränkten gefährlichen Substanzen enthalten sind.