Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-9444
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6242TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9444
Herst. Teile-Nr.:: IRLHS6242TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Maximale Verlustleistung Pd	9.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Maximale Verlustleistung Pd 9.6W
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRLHS6242TRPBF

Die Infineon IRLHS-Serie ist ein 20-V-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 2x2-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Niedriger RDS (Ein) in einem kleinen Gehäuse

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 20 V / 22 A 9.6 W PQFN

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