Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 220-7485
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7932TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 220-7485
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7932TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	3.4W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	5.1mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	6.1mm
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 3.4W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 5.1mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 6.1mm
	Höhe 1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH7932TRPBF

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Niedrige Gateladung

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und

Stromstärke

100 % geprüft für RG

Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)

RoHS-konform (halogenfrei)

Niedriger Wärmewiderstand

Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

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