Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 220-7486
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7932TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

CHF.14.175

Auf Lager

Zusätzlich 9’435 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
15 - 60	CHF.0.945	CHF.14.09
75 - 135	CHF.0.893	CHF.13.39
150 - 360	CHF.0.872	CHF.13.10
375 - 735	CHF.0.819	CHF.12.26
750 +	CHF.0.756	CHF.11.42

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7486
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7932TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	34nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	5.1 mm
	Länge	6.1mm
	Höhe	1mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3.4W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 5.1 mm
	Länge 6.1mm
	Höhe 1mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH7932TRPBF

Die Infineon OptiMOS N-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden zur Steigerung von Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz entwickelt. OptiMOS-Produkte wurden für Hochleistungsanwendungen entwickelt und für hohe Schaltfrequenzen optimiert und überzeugen mit der branchenweit besten Leistungszahl. Das OptiMOS-Leistungs-MOSFET-Portfolio, jetzt ergänzt durch einen starken IRFET, schafft eine wirklich leistungsfähige Kombination. Profitieren Sie von einer perfekten Abstimmung von robusten und ausgezeichneten Preis-/Leistungseigenschaften von starken IRFET-MOSFETs und der besten Technologie von OptiMOS MOSFETs. Beide Produktfamilien erfüllen die höchsten Qualitätsstandards und Leistungsanforderungen. Das gemeinsame Portfolio, das Spannungen von 12 V bis 300 V MOSFETs abdeckt, kann eine Vielzahl von Anforderungen von niedrigen bis hohen Schaltfrequenzen wie SMPS, Batterie-betriebene Anwendungen, Motorsteuerung und Antriebe, Wechselrichter und Computer erfüllen.

Sehr niedriger RDS(ON) bei 4,5 V VGS

Niedrige Gateladung

Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und

Stromstärke

100 % geprüft für RG

Bleifrei (qualifiziert bis zu 260 °C Reflow)

RoHS-konform (halogenfrei)

Niedriger Wärmewiderstand

Großes Quellkabel für zuverlässigeres Löten

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 25 A 3.4 W, 8-Pin PQFN

Verwandte Links