Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 12 A 2.8 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 220-7480
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH3707TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | CHF.0.152 | CHF.606.00 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7480
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH3707TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free, RoHS | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free, RoHS | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Mögliche Alternative zum SuperSO8-Gehäuse mit hohem RDS(on)
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Kleiner Formfaktor
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