Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 30 A 96 W, 4-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-4746
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8311TRPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 4000 + | CHF 0.374 | CHF 1'510.96 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4746
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8311TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.15mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.17mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.15mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.17mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDSon (<1,15 mΩ)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)
100 % Rg geprüft
Flache Bauweise (<0,9 mm)
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