Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.325
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.333 | CHF.8.40 |
| 125 - 225 | CHF.0.323 | CHF.7.98 |
| 250 - 600 | CHF.0.283 | CHF.7.15 |
| 625 - 1225 | CHF.0.232 | CHF.5.88 |
| 1250 + | CHF.0.152 | CHF.3.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation
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