Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 21 A 2.1 W, 6-Pin IRFHS8242TRPBF PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.504 | CHF.12.50 |
| 125 - 225 | CHF.0.473 | CHF.11.87 |
| 250 - 600 | CHF.0.42 | CHF.10.63 |
| 625 - 1225 | CHF.0.347 | CHF.8.77 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5793
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-531
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFHS8242TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Breite 2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Niedriger RDSon (< 58 m)
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)
100 % Rg getestet
Niedrige Bauform (<09 mm)
Pinout nach Industriestandard
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich
MSL1, industrielle Qualifikation
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