Infineon Zweifach-N-Kanal-Mosfet HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5.1 A 2.4 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
217-2601
Herst. Teile-Nr.:
IRF7341GTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Zweifach-N-Kanal-Mosfet

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET in einem Dual SO-8-Gehäuse nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung. Diese Vorteile machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl anderer Anwendungen. Die Nennleistung von 175 °C für das SO-8-Gehäuse bietet eine verbesserte thermische Leistung mit einem erhöhten sicheren Betriebsbereich und die zweifache MOSFET-Matrizenfähigkeit machen es ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Dieser zweifache, SMD-SO-8 kann den Platinenplatz erheblich reduzieren und ist auch als Band und Rolle erhältlich.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Bleifrei

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