Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 262-6730
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7413ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6730
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- IRF7413ZTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie eine extrem niedrige Gate-Impedanz für vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom.
Sehr niedriger RDS(on)
100 % auf RG geprüft
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