Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 217-2607
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7469TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 217-2607
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7469TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.9 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse.
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Sehr niedriger RDS(on)
Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben
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