Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin IRF8707TRPBF SOIC

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RS Best.-Nr.:
915-4976
Herst. Teile-Nr.:
IRF8707TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 11A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF8707TRPBF


Dieser MOSFET ist auf Leistungsanwendungen zugeschnitten und verbessert den Wirkungsgrad und die thermische Leistung. Der niedrige Durchlasswiderstand und die minimale Gate-Ladung reduzieren sowohl die Leitungs- als auch die Schaltverluste erheblich, wodurch er sich für hocheffiziente DC-DC-Wandler in verschiedenen Anwendungen eignet. Das kompakte SOIC-Gehäuse erhöht die Vielseitigkeit und lässt sich leicht in beengte Räume integrieren.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedrige Gate-Ladung verringert die Schaltverluste in Anwendungen

• Maximaler Dauerverbrauchsstrom von 11 A erhöht die Leistung

• Hohe Temperaturtoleranz bis zu +150°C gewährleistet Zuverlässigkeit

• Niedriger Rds(on) verbessert die Gesamteffizienz

• N-Kanal-Konfiguration ermöglicht flexible Designs

• Vollständig charakterisiert für Lawinenspannung und -strom bietet zusätzliche Sicherheit

Anwendungsbereich


• Steuerung von MOSFETs in synchronen Abwärtswandlern

• Verwendung in isolierten DC-DC-Wandlern für Netzwerksysteme

• Energieverwaltungslösungen für Notebook-Prozessoren

• Implementierung in Automatisierungs- und Steuerungssystemen zur Leistungssteigerung

Wie sieht es mit der Eignung für Hochtemperaturumgebungen aus?


Der Baustein arbeitet effektiv bei Temperaturen von bis zu +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit unter den für Leistungsanwendungen typischen Hochtemperaturbedingungen.

Wie geht dieses Produkt mit der Verlustleistung um?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,5 W sorgt er für eine ausgeglichene Wärmeleistung und verringert das Risiko einer Überhitzung.

Kann es unterschiedliche Spannungen verarbeiten?


Ja, er verträgt eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V und ist damit vielseitig einsetzbar.

Was ist die maximale Gate-Schwellenspannung?


Die maximale Gate-Schwellenspannung beträgt 2,35 V, was die Kompatibilität mit einer Reihe von Treiberschaltungen gewährleistet.

Wie wirkt sich der niedrige Rds(on) auf seine Leistung aus?


Der niedrige Drain-Source-On-Widerstand minimiert die Leitungsverluste, erhöht den Wirkungsgrad und reduziert die Wärmeentwicklung im Betrieb.

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