onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-5860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD390N15A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.4.595
Vorübergehend ausverkauft
- 1'215 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.919 | CHF.4.60 |
| 50 - 95 | CHF.0.788 | CHF.3.96 |
| 100 - 495 | CHF.0.687 | CHF.3.43 |
| 500 - 995 | CHF.0.606 | CHF.3.02 |
| 1000 + | CHF.0.545 | CHF.2.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-5860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD390N15A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 11.4 A 56.8 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 8 A 132 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 14 A 65 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 21 A 95 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche PowerTrench-MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 69 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 127 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 43 W, 3-Pin TO-252