onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin FDD390N15A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-5860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD390N15A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.4.78
Auf Lager
- Zusätzlich 70 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
- Zusätzlich 1’185 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.956 | CHF.4.78 |
| 50 - 95 | CHF.0.819 | CHF.4.12 |
| 100 - 495 | CHF.0.714 | CHF.3.57 |
| 500 - 995 | CHF.0.63 | CHF.3.14 |
| 1000 + | CHF.0.567 | CHF.2.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-5860
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD390N15A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 26 A 63 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 14 A 65 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 21 A 95 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 8 A 132 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 11,4 A 56,8 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 52 A 43 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A 62 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 8 A 54 W, 3-Pin DPAK (TO-252)