MOSFETs | MOSFET-Transistoren, N- & P-Channel-MOSFETs | RS
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    MOSFET

    MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

    Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

    Wie funktionieren MOSFETs?

    Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

    Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

    MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

    N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

    N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp, N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

    P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.

    Warum RS

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    DiodesZetex
    P
    200 mA
    250 V
    18 Ω
    SOT-23
    -
    2V
    SMD
    -
    6
    -40 V, +40 V
    Enhancement
    1,1 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.75mm
    2,45 nC @ 10 V
    3mm
    Si
    STMicroelectronics
    N
    10 A
    650 V
    430 mΩ
    DPAK (TO-252)
    MDmesh M2
    4V
    SMD
    2V
    3
    –25 V, +25 V
    Enhancement
    110 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.2mm
    17 nC @ 10 V
    6.6mm
    Si
    DiodesZetex
    P
    130 mA
    50 V
    10 Ω
    SOT-23
    -
    2V
    SMD
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    300 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    -
    3mm
    Si
    STMicroelectronics
    N
    9 A
    800 V
    900 mΩ
    TO-220FP
    MDmesh, SuperMESH
    4.5V
    THT
    3V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    40 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    4.6mm
    72 nC @ 10 V
    10.4mm
    Si
    DiodesZetex
    N, P
    4,1 A; 4,98 A
    30 V
    60 mΩ, 80 mΩ
    SOIC
    -
    3V
    SMD
    -
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,35 W
    -
    Vollbrücke
    4
    +150 °C
    4mm
    9 nC @ 10 V
    5mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    1,33 A
    20 V
    1,5 Ω
    SOT-563
    -
    0.9V
    SMD
    -
    6
    -12 V, +12 V
    Enhancement
    530 mW
    -
    Isoliert
    2
    +150 °C
    1.25mm
    0,5 nC @ 4,5 V
    1.7mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    270 mA
    60 V
    5 Ω
    E-Line
    -
    2.5V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    625 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    2.41mm
    -
    4.77mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    270 mA
    60 V
    5 Ω
    E-Line
    -
    2.5V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    625 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    2.41mm
    -
    4.77mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    6,4 A
    20 V
    41 mΩ
    SOT-23
    -
    1.2V
    SMD
    -
    3
    -12 V, +12 V
    Enhancement
    780 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.4mm
    15,6 nC @ 10 V
    3mm
    Si
    DiodesZetex
    N, P
    2,5 A; 7,8 A
    30 V
    40 mΩ, 80 mΩ
    SOIC
    -
    2V
    SMD
    -
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,5 W
    -
    Vollbrücke
    4
    +150 °C
    3.95mm
    11,4 nC @ 10 V, 11,7 nC @ 10 V
    4.95mm
    Si
    Toshiba
    N
    93 A
    100 V
    4,5 mΩ
    SOP
    -
    4V
    SMD
    2V
    8
    ±20 V
    Enhancement
    78 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    5mm
    58 nC @ 10 V
    5mm
    -
    IXYS
    N
    46 A
    650 V
    69 mΩ
    TO-247
    HiperFET, X2-Class
    5.5V
    THT
    2.7V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    660 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    21.34mm
    98 nC @ 10 V
    16.13mm
    Si
    DiodesZetex
    N, P
    1,4 A; 1,8 A
    60 V
    350 mΩ
    SOIC
    -
    3V
    SMD
    -
    8
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,36 W
    -
    Vollbrücke
    4
    +150 °C
    4mm
    3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V
    5mm
    Si
    Toshiba
    N
    60 A
    60 V
    12,3 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    3V
    SMD
    2V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    88 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    7mm
    60 nC @ 10 V
    6.5mm
    -
    STMicroelectronics
    N
    4 A
    60 V
    100 mΩ
    SOT-223
    STripFET
    2.8V
    SMD
    1V
    3
    –16 V, +16 V
    Enhancement
    3,3 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    3.5mm
    7 nC bei 5 V
    6.5mm
    Si
    IXYS
    N
    120 A
    650 V
    23 mΩ
    PLUS247
    X2-Class
    5V
    THT
    3V
    3
    -30 V, +30 V
    Enhancement
    1,25 kW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    21.34mm
    230 nC bei 10 V
    16.13mm
    Si
    DiodesZetex
    P
    55 A
    40 V
    23 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    3V
    SMD
    1V
    3
    ±20 V
    Enhancement
    3,7 W
    -
    Einfach
    1
    +175 °C
    6.2mm
    67 nC @ 10V
    6.7mm
    -
    DiodesZetex
    P
    3,7 A
    40 V
    150 mΩ
    SOT-26
    -
    3V
    SMD
    -
    6
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    1,7 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    1.7mm
    15,8 nC @ 10 V
    3.1mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    38 A
    30 V
    16 mΩ
    DPAK (TO-252)
    -
    2.3V
    SMD
    1.3V
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    2,8 W
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    6.7mm
    25,1 nC bei 10 V
    6.2mm
    Si
    DiodesZetex
    N
    160 mA
    240 V
    16 Ω
    TO-92
    -
    3V
    THT
    -
    3
    -20 V, +20 V
    Enhancement
    700 mW
    -
    Einfach
    1
    +150 °C
    2.41mm
    -
    4.77mm
    Si
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