DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.36 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 751-5348
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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