Teile-Nr.

DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 751-5332
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC10A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 751-5332
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC10A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	850mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.45mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.95V
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.36W
	Transistor-Konfiguration	Vollbrücke
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Höhe	1.5mm
	Breite	4 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Länge	5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	4
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 850mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.95V
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.36W
	Transistor-Konfiguration Vollbrücke
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Höhe 1.5mm
	Breite 4 mm
	Normen/Zulassungen RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Länge 5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 4
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

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