DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 122-1421
- Mfr. Part No.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Image representative of range
Subtotal (1 reel of 2500 units)*
CHF.1’445.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.578 | CHF.1’435.88 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 122-1421
- Mfr. Part No.:
- ZXMHC10A07N8TC
- Brand:
- DiodesZetex
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 850mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.36W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 850mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.36W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Related links
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.36 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.8 A 1.5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.98 A 1.35 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.8 A 1.5 W, 8-Pin SOIC DMHC3025LSD-13
- DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.7 W, 8-Pin
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin
- DiodesZetex DMN2040U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6 A 1.36 W, 3-Pin SOT-23