DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.98 A 1.35 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 751-5344
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.20
Auf Lager
- 5 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 24’440 Einheit(en) mit Versand ab 09. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.04 | CHF.5.19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 751-5344
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Breite | 4 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Breite 4 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 4,1 A; 4,98 A 1,35 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,4 A; 1,8 A 1,36 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,8 A, 1,5 A 1,7 W, 8-Pin SM
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A; 7,8 A 1,5 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V / 1,8 A; 3,1 A 1,7 W, 8-Pin SM
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 850 mA 1,36 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,1 A 1,5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN