DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 823-1877
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3A01T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
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| 50 - 245 | CHF.1.796 | CHF.8.99 |
| 250 - 495 | CHF.1.554 | CHF.7.77 |
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- RS Best.-Nr.:
- 823-1877
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3A01T8TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 330mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 330mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Transistor-Konfiguration Vollbrücke | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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