DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 827-0490
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3085LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.10.50
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.0.21 | CHF.10.40 |
| 500 - 1200 | CHF.0.126 | CHF.6.14 |
| 1250 + | CHF.0.095 | CHF.4.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-0490
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3085LSD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Breite | 3.95 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 4.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Durchlassspannung Vf -0.7V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Breite 3.95 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 4.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Zweifacher P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13
- DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 5.8 A 2.14 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.7 W, 8-Pin
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7.5 A 1.5 W, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.1 A 1.5 W, 8-Pin SOIC DMN6070SSD-13