DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 827-0462
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN2014LHAB-7
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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