DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 1.4 W, 6-Pin UDFN DMP2075UFDB-7
- RS Best.-Nr.:
- 182-7162
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2075UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 137mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Breite | 2.07 mm | |
| Länge | 2.07mm | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 137mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Breite 2.07 mm | ||
Länge 2.07mm | ||
Höhe 0.55mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Flach: Max. Höhe von 0,6 mm.
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Lastschalter
Stromüberwachungsfunktionen
Tragbare Netzteiladapter
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