DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 33.2 A 37.5 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 182-7321
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LPD-13
- Marke:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.83 | CHF.8.30 |
| 100 - 240 | CHF.0.756 | CHF.7.60 |
| 250 - 490 | CHF.0.735 | CHF.7.38 |
| 500 - 990 | CHF.0.725 | CHF.7.20 |
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- 182-7321
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LPD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 4.95 mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Länge | 5.85mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 4.95 mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Länge 5.85mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Ausgelegt für +175 °C – ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur
Umgebungsbedingungen
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Motorsteuerungssysteme
Elektronik zur Gehäusesteuerung
DC/DC-Wandler
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