DiodesZetex Doppelt N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 10000 Stück)*
CHF 4'140.00
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 10000 + | CHF 0.414 | CHF 4'120.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 750mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 3.05mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 750mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 3.05mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 800μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- DiodesZetex Doppelt DMHT10H032LFJ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 6 A 64 W, 12-Pin VDFN
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 33.2 A 37.5 W, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Doppelt DMN2024UFX Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8 A 1.4 W, 4-Pin VDFN
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.6 A 16 W, 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 1.4 W, 6-Pin UDFN
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 9.1 A 2 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8