DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 3.05 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 3.05 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
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