DiodesZetex Doppelt DMN2024UFX Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8 A 1.4 W, 4-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 213-9157
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2024UFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 213-9157
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2024UFX-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN2024UFX | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.22Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN2024UFX | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.22Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie DiodesZetex DBN2024UFX ist ein zweifach-N-Kanal-MOSFET. Er wird in universellen Schnittstellenschaltern und Stromüberwachungsfunktionen verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Tor
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