DiodesZetex Doppelt DMHT10H032LFJ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 6 A 64 W, 12-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 213-9147
- Herst. Teile-Nr.:
- DMHT10H032LFJ-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.911 | CHF.19.08 |
| 50 - 90 | CHF.1.869 | CHF.18.70 |
| 100 - 240 | CHF.1.67 | CHF.16.69 |
| 250 - 990 | CHF.1.638 | CHF.16.35 |
| 1000 + | CHF.1.334 | CHF.13.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9147
- Herst. Teile-Nr.:
- DMHT10H032LFJ-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | DMHT10H032LFJ | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 64W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Breite | 4.5 mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie DMHT10H032LFJ | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 64W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Breite 4.5 mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Die DiodesZetex DMHT10H032LFJ-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET in einer H-Brückenkonfiguration.
Hohe Effizienz bei der Wandlung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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