DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 33.2 A 37.5 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
182-6944
Herst. Teile-Nr.:
DMTH6016LPD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

37.5W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

5.85mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Höhe

1.05mm

Breite

4.95 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Ausgelegt für +175 °C – ideal für den Einsatz bei hoher Umgebungstemperatur

Umgebungsbedingungen

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

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