DiodesZetex Doppelt DMNH6035 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 33 A 68 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0096
- Herst. Teile-Nr.:
- DMNH6035SPDW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 206-0096
- Herst. Teile-Nr.:
- DMNH6035SPDW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMNH6035 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.8 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMNH6035 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.8 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 60 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,4 W Wärmeverlustleistung.
Ausgelegt für +175 °C ist ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
Niedrige Qg - minimiert Schaltverluste
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