DiodesZetex Doppelt DMTH4008LPDW Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 46.2 A 39.4 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 213-9246
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH4008LPDW-13
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 213-9246
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH4008LPDW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMTH4008LPDW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0123Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 39.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMTH4008LPDW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0123Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 39.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Die DiodesZetex DMTH4008LPDW-Serie ist ein zweifacher N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was sie ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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