DiodesZetex Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 165-8742
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 165-8742
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 9.3 A 1.7 W, 7-Pin UDFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 9.8 A 1.7 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 6.6 A 1.7 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 1.4 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 580 mA 980 mW, 6-Pin SM
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 7 A 2.6 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 280 mA 150 mW, 6-Pin SOT-563