DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 580 mA 980 mW, 6-Pin SM

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.504.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.168CHF.519.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
122-3250
Herst. Teile-Nr.:
DMN601DMK-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

580mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

980mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

304nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

Breite

1.7 mm

Höhe

1.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links