DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 260 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*

CHF.7.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 06. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
100 - 400CHF.0.074CHF.7.25
500 - 900CHF.0.063CHF.6.51
1000 - 1400CHF.0.042CHF.4.73
1500 - 2900CHF.0.042CHF.4.20
3000 +CHF.0.042CHF.3.78

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
822-2598
Herst. Teile-Nr.:
DMN63D8LDW-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.4nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links