DiodesZetex DMN2041L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.4 A 780 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 121-9546
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2041L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.273.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | CHF.0.091 | CHF.266.64 |
| 9000 + | CHF.0.081 | CHF.257.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 121-9546
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2041L-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMN2041L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 780mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMN2041L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 780mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN2041L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.4 A 780 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG3414U Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 780 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.4 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 75 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.2 A 806 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 35 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23