Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
171-2426
Herst. Teile-Nr.:
TK60S06K3L
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

60nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

7 mm

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
JP
Kfz

Motortreiber

DC/DC-Wandler

Schaltspannungsregler

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 6,4 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 60 V)

Verbesserungsmodus: Vth = 2,0 bis 3,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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