IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 917-1413
Distrelec-Artikelnummer:: 302-53-326
Herst. Teile-Nr.:: IXFH46N65X2
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247

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N-ch X2-Class HiPerFET Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	46 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	HiperFET, X2-Class
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	69 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
Verlustleistung max.	660 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	21.34mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	98 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	16.13mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	5.21mm
Diodendurchschlagsspannung	1.4V

IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2