IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin IXFH34N65X2 TO-247

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917-1467
Herst. Teile-Nr.:
IXFH34N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

540W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.24mm

Breite

21.45 mm

Höhe

5.3mm

Distrelec Product Id

304-37-851

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2


Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Niedrige Gehäuseinduktivität

Industriestandard-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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