IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 100 A 1.04 kW, 3-Pin IXFK100N65X2 TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 917-1429
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-341
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK100N65X2
- Marke:
- IXYS
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.19.52
Auf Lager
- Zusätzlich 213 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.19.52 |
| 2 - 4 | CHF.18.52 |
| 5 - 9 | CHF.17.57 |
| 10 + | CHF.17.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 917-1429
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-341
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFK100N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.04kW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 20.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Breite | 26.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 30253341 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.04kW | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 20.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Breite 26.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 30253341 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2
Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 100 A 1,04 kW, 3-Pin UM-264P
- IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 100 A 1,04 kW, 3-Pin UM-264P
- IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 120 A 1,25 kW, 3-Pin UM-264P
- IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A 660 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET, X2-Class N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 22 A 390 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 650 V / 145 A 1,04 kW, 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 1,04 kW, 3-Pin TO-247