IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 25 Stück)*

CHF.777.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
25 +CHF.31.08CHF.777.08

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
920-0874
Herst. Teile-Nr.:
IXFK27N80Q
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-264

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

320mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

19.96mm

Höhe

26.16mm

Breite

5.13 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links