IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 1.04 kW, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-4731
Herst. Teile-Nr.:
IXFH50N60P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

145mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

94nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.04kW

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.3 mm

Länge

16.26mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.46mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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