IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 15 A 690 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
920-0969
Herst. Teile-Nr.:
IXFH15N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

HiperFET, Q-Class

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,05 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

6.5V

Verlustleistung max.

690 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

64 nC @ 10 V

Länge

16.26mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

16.26mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte


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Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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