IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 1 kV Erweiterung / 15 A 690 W,
- RS Best.-Nr.:
- 920-0969
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH15N100Q3
- Marke:
- IXYS
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- RS Best.-Nr.:
- 920-0969
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH15N100Q3
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1 kV | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 15 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 690 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.4 V | |
| Höhe | 16.26 mm | |
| Länge | 16.26 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 1.05 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 64 nC | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1 kV | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 15 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 690 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.4 V | ||
Höhe 16.26 mm | ||
Länge 16.26 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 1.05 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 64 nC | ||
Breite 5.3 mm | ||
- Ursprungsland:
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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