MOSFET

MOSFETs, auch MOSFET-Transistoren, steht für "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren). MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Regelung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt. MOSFETs funktionieren ähnlich wie ein Schalter und werden zum Schalten oder Verstärken elektronischer Signale verwendet.

Diese Halbleitergeräte sind integrierte Schaltkreise (Integrated Circuit, IC), die auf Leiterplatten montiert sind. MOSFETs sind in einer Reihe von Standardgehäusetypen wie DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 und TO-220 erhältlich. Für weitere Informationen über MOSFETs siehe unsere vollständige Anleitung zu MOSFETs.

Was sind der Verarmungs- und der Anreicherungstyp?

MOSFET-Transistoren haben zwei Modi: Verarmung und Anreicherung. Verarmungs-MOSFETs funktionieren wie ein geschlossener Schalter. Der Strom fließt, wenn kein Strom angelegt wird. Der Stromfluss wird unterbrochen, wenn eine negative Spannung angelegt wird. Anreicherungsmodus-MOSFETs sind wie ein variabler Widerstand und im Allgemeinen beliebter als Verarmungstyp-MOSFETs. Sie sind in N-Kanal- oder P-Kanal-Varianten erhältlich.

Wie funktionieren MOSFETs?

Die Stifte auf einem MOSFET-Gehäuse sind Quelle, Gate und Drain. Wenn zwischen den Gate- und den Quellklemmen eine Spannung angelegt wird, kann Strom vom Drain zu den Quellstiften fließen. Wenn sich die an das Gate angelegte Spannung ändert, ändert sich auch der Widerstand vom Drain zur Quelle. Je niedriger die angelegte Spannung, desto höher der Widerstand. Wenn die Spannung steigt, sinkt der Widerstand zwischen Drain und Quelle. Leistungs-MOSFETs sind wie Standard-MOSFETs, aber für einen höheren Leistungsgrad ausgelegt.

N-Kanal- im Vergleich mit P-Kanal-MOSFETs

N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Sie sind der beliebtere Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs funktionieren, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

P-Kanal-MOSFETS enthalten Elektronen und Elektronenlöcher in ihrem Substrat. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die an den Gate-Anschluss angelegte Spannung niedriger als die Quellspannung ist.


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Beschreibung Preis Channel-Typ Dauer-Drainstrom max. Drain-Source-Spannung max. Drain-Source-Widerstand max. Gehäusegröße Gate-Schwellenspannung max. Montage-Typ Gate-Schwellenspannung min. Pinanzahl Gate-Source Spannung max. Channel-Modus Verlustleistung max. Transistor-Konfiguration Anzahl der Elemente pro Chip
RS Best.-Nr. 919-4713
Herst. Teile-Nr.IRLML6401TRPBF
MarkeInfineon
CHF.0.094
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 4,3 A 12 V 50 mΩ Micro 0.95V SMD 0.4V 3 –8 V, +8 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 688-9127
Herst. Teile-Nr.NTD24N06LT4G
CHF.0.971
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 24 A 60 V 45 mΩ DPAK (TO-252) 2V SMD - 3 -15 V, +15 V Enhancement 62,5 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 215-6688
Herst. Teile-Nr.BS250P
CHF.0.866
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 230 mA 45 V 14 Ω E-Line 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 700 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 124-1309
Herst. Teile-Nr.FDC6333C
CHF.0.140
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N, P 2 A; 2,5 A 30 V 150 mΩ, 220 mΩ SOT-23 - SMD 1V 6 -25 V, -16 V, +16 V, +25 V Enhancement 960 mW Isoliert 2
RS Best.-Nr. 911-4978
Herst. Teile-Nr.BSP318SH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.293
Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Stück
N 2,6 A 60 V 150 mΩ SOT-223 2V SMD 1.2V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 1,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-1509
Herst. Teile-Nr.DMN3070SSN-7
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 5,1 A 30 V 50 mΩ SOT-346 (SC-59) 2.1V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,3 W, 780 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 822-2627
Herst. Teile-Nr.DMP2100U-7
CHF.0.12
Stück (In einer VPE à 100)
Stück
P 3,4 A 20 V 75 mΩ SOT-23 1.4V SMD - 3 -10 V, +10 V Enhancement 1,3 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 807-6692
Herst. Teile-Nr.HUF75639G3
CHF.2.762
Stück (In einer VPE à 2)
Stück
N 56 A 100 V 25 mΩ TO-247 - Durchsteckmontage 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 200 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 671-0324
Herst. Teile-Nr.BSS138
CHF.0.187
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
N 220 mA 50 V 3,5 Ω SOT-23 1.5V SMD 0.8V 3 -20 V, +20 V Enhancement 360 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-2847
Herst. Teile-Nr.BSS127S-7
CHF.0.094
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 70 mA 600 V 190 Ω SOT-23 4.5V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 163-2690
Herst. Teile-Nr.NTR4501NT1G
CHF.0.070
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 3,2 A 20 V 80 mΩ SOT-23 1.2V SMD - 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 922-7831
Herst. Teile-Nr.BS250P
CHF.0.398
Stück (In in einem Beutel mit 4000)
Stück
P 230 mA 45 V 14 Ω E-Line 3.5V Durchsteckmontage - 3 -20 V, +20 V Enhancement 700 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 122-0219
Herst. Teile-Nr.DMN3150L-7
CHF.0.059
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
N 3,8 A 30 V 112 mΩ SOT-23 1.4V SMD - 3 -12 V, +12 V Enhancement 1,4 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 163-1137
Herst. Teile-Nr.NTR4502PT1G
CHF.0.105
Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Stück
P 1,9 A 30 V 350 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 773-7897
Herst. Teile-Nr.NTR4502PT1G
CHF.0.12
Stück (In einer VPE à 10)
Stück
P 1,9 A 30 V 350 mΩ SOT-23 3V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,25 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 165-7514
Herst. Teile-Nr.BSP373NH6327XTSA1
MarkeInfineon
CHF.0.293
Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Stück
N 1,7 A 100 V 300 mΩ SOT-223 4V SMD 2.1V 3 + Tab -20 V, +20 V Enhancement 1,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 178-0852
Herst. Teile-Nr.IRF9510PBF
MarkeVishay
CHF.0.761
Stück (In einer Stange von 50)
Stück
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RS Best.-Nr. 650-3678
Herst. Teile-Nr.IRF4905SPBF
MarkeInfineon
CHF.2.610
Stück (In einer VPE à 5)
Stück
P 74 A 55 V 20 mΩ D2PAK (TO-263) 4V SMD 2V 3 -20 V, +20 V Enhancement 3,8 W Einfach 1
RS Best.-Nr. 790-4606
Herst. Teile-Nr.DMN3070SSN-7
CHF.0.269
Stück (In einer VPE à 25)
Stück
N 5,1 A 30 V 50 mΩ SOT-346 (SC-59) 2.1V SMD - 3 -20 V, +20 V Enhancement 1,3 W, 780 mW Einfach 1
RS Best.-Nr. 812-3029
Herst. Teile-Nr.SI1025X-T1-GE3
MarkeVishay
CHF.0.398
Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 20)
Stück
P 135 mA 60 V 8 Ω SOT-523 (SC-89) - SMD 1V 6 -20 V, +20 V Enhancement 250 mW Isoliert 2