Vishay SQD10950E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 11.5 A 62 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 200-6793
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD10950E_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.29.05
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 30. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.162 | CHF.29.09 |
| 50 - 100 | CHF.0.949 | CHF.23.86 |
| 125 - 225 | CHF.0.869 | CHF.21.82 |
| 250 - 600 | CHF.0.818 | CHF.20.35 |
| 625 + | CHF.0.697 | CHF.17.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6793
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD10950E_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SQD10950E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SQD10950E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQD10950E_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-250-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-getestet
AEC-Q101-qualifiziert
Verwandte Links
- Vishay SQD10950E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 11.5 A 62 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.5 A 69 W, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 100 W, 3-Pin TO-252
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 30 A 62 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 62 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252
- onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 6.2 A 56 W, 3-Pin TO-252
- Vishay IRFR Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 2.7 A 50 W, 3-Pin TO-252