Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 51 A, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IRFB52N15DPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon verfügt über eine niedrige Gate-to-Drain-Ladung, um Schaltverluste zu reduzieren. Es ist für den Einsatz mit Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern und Plasma-Anzeigetafeln geeignet.

Vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom

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